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第三届“中欧第三代半导体高峰论坛”开幕

作者: 发布时间:2019-09-27 09:36

       金秋送爽,丹桂飘香。9月19日,2019年第三届“中欧第三代半导体高峰论坛”在深圳五洲宾馆成功举办。来自中国和欧洲的专家学者、企业高管、投资精英等近200名代表参会,开放共享,合作共赢,共同探讨第三代半导体行业发展新机遇、新未来。  

          深圳市科学技术协会党组书记林祥、深圳市坪山区科技创新局局长黄鸣出席论坛并致辞。深圳第三代半导体研究院副院长张国旗、南方科技大学深港微单子学院执行院长于洪宇、国家新能源汽车技术创新中心车规半导体业务负责人文宇、深圳基本半导体有限公司总经理和巍巍等分别进行了题为“第三代半导体材料器件的发展与创新”、“GaN on Silicon Devices”、“碳化硅在新能源汽车领域的应用前景及车规半导体测试认证体系建设”、“第三代半导体发展机遇与挑战”、“第三代半导体碳化硅功率器件技术与应用”的前沿技术分享及精彩主题演讲。  

          主题演讲过后,由深圳基本半导体有限公司营销副总经理蔡雄飞主持的以“中国第三代半导体的突破之路”为主题的高端圆桌对话备受瞩目。来自力合科创集团、北京亿华通科技股份有限公司、深圳市禾望电气股份有限公司、深圳欣悦科技股份有限公司、深圳基本半导体有限公司等几家优秀的半导体企业的领导层参加了本次圆桌对话,大家从企业自身的发展经历出发,共同探讨我国第三代半导体实现突破的途径。           当前,第三代半导体未来应用潜力巨大,具备变革性的突破力量,是半导体以及下游的电力电子、通讯等行业新一轮变革的突破口。2018年,美国、欧盟等持续加大第三代半导体领域的研发支持力度,国际厂商积极、务实推进,商业化的碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)电力电子器件新品不断推出,性能日益提升,应用逐渐广泛。国内受益于整个半导体行业宏观政策利好、资本市场追捧、地方积极推进、企业广泛进入等因素,第三代半导体产业稳步发展。但在材料指标、器件性能等方面与国外先进水平仍存在一定差距,市场继续被国际巨头占据,国产化需求迫切。  

          第三届“中欧第三代半导体高峰论坛”在深成功举办,得到国内外第三代半导体行业从业者的广泛关注与支持。尤其为我国半导体人提供了在第三代半导体领域最为广阔的视野,通过与国际知名专家学者围绕第三代半导体技术创新、产业发展、国际合作开展的深入探讨与交流,明确第三代半导体未来发展趋势,积极布局并努力开创国产半导体新局面,加速第三代半导体材料国产化替代进程,助力国产半导体开辟一片新天地。           本届高峰论坛由深圳市科学技术协会、深圳市坪山区人民政府、第三代半导体产业技术创新战略联盟指导,深圳青铜剑科技股份有限公司、深圳第三代半导体研究院、南方科技大学深港微电子学院主办,深圳基本半导体有限公司、深圳中欧创新中心联合承办。           深圳青铜剑科技股份有限公司作为主办方之一,成立于2009年,是中国IGBT驱动领军企业。高峰论坛同日,青铜剑科技十周年庆典活动于下午15:30在五洲宾馆拉开帷幕。经过十年的发展积淀,青铜剑科技已成为电力电子行业创新能力强、产品可靠性高、售后服务有保障的知名品牌,形成了功率半导体器件、高端电力电子设备、海外科技投资孵化三大业务板块。未来,青铜剑科技将继续深耕电力电子行业,立志成为国内领先、世界一流的电力电子元器件和解决方案的供应商,打造电子电力行业的隐形冠军。

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